связь напряжения и чатоты вращения

С увеличением разности заданной и фактической частот вращения возрастает напряжение на резисторе R3, увеличиваются открытие транзистора V9 и скорость заряда конденсатора С2, что приводит к более раннему формированию управляющего импульса и увеличению тока возбуждения. Приближение фактической частоты вращения к заданной снижает ток возбуждения муфты до его рабочего значения в заданном режиме. Таким образом, среднее значение импульсного тока возбуждения зависит от превышения задающего напряжения над напряжением обратной связи.

Если частота вращения муфты выше заданной, то транзистор V8 открыт, a V9 закрыт. На управляющий электрод тиристора V11 не поступает никаких сигналов, и в цепи обмотки возбуждения нет тока. Частота вращения муфты снижается до тех пор, пока не станет ниже заданной. При этом транзистор V8 закроется, a V9 откроется и будет заряжать конденсатор С2 до тех пор, пока напряжение на нем не откроет однопереходный транзистор V10, выдающий на тиристор V11 управляющий импульс, открывающий его.

Рисунок 10.2 — Схема САУ с обратной связью по частоте вращения муфты

На рис. 10.2 приведена схема импульсной САУ с тиристорным усилителем. Приводной двигатель М вращает ведущую часть муфты ЭМС, с ведомой частью которой соединен тахогенератор G. Обмотка возбуждения ОВ муфты питается от одной из вторичных обмоток трансформатора Т через силовые диоды V1 и V2 и тиристор V11. Напряжение с другой вторичной обмотки трансформатора выпрямляется мостом V3, сглаживается фильтром C1, R2, стабилизируется стабилитронами V4 и V5 и выделяется на задающем потенциометре R1. После сравнения задающего напряжения с напряжением обратной связи тахогенератора G их разность выделяется на резисторе R3 и управляет усилителем на транзисторах V8 и V9.

Большинство замкнутых САУ муфтами снабжаются обратными связями по частоте вращения. Такие системы обеспечивают жесткие искусственные механические характеристики муфты и высокую стабильность работы привода в заданном режиме независимо от влияния внешних возмущающих факторов (температуры окружающей среды, нагрева муфты, изменения напряжения источника питания, разброса параметров муфт из-за отклонений размеров зазоров и состава сталей в пределах допусков и т.д.).

Источник:   Щетинин Т.А. Электромагнитные муфты скольжения. /Щетинин Т.А.   М.: Энергоатомиздат, 1985.  272 c., ил.

10.3 Системы с обратной связью по частоте вращения муфты

Щетинин Т.А. 10.3 Системы с обратной связью по частоте вращения муфты.